肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管 肖特基二极管结构原理图(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P...
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触...
肖特基二极管(Schottky Diodes): 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子...
肖特基二极管,简称SBD,以其显著的高开关频率和低正向压降特性受到青睐。然而,它的主要局限在于反向击穿电压较低,通常不超过60V,最高仅能达到100V。这限制了它...
近年来,肖特基二极管以其显著的优势崭露头角。它以其低功耗、大电流和超高速的性能特点脱颖而出。其反向恢复时间极短,可以达到纳秒级别,仅为几纳秒,而正向导通...
肖特基二极管是一种低压降高频整流二极管。这类管子的正向压降一般在0.2V左右(普通硅管的正向压降在0.6-0.7V),高频性能很好。不过,这类管子的耐压值一般在百十...
肖特基二极管主要优点:1、正向压降低,约只有一般硅二极管的一半。在下向导通时由于正向电压低消耗的二极管上的功耗也小。2、反向恢复时间小,比超快速恢复管还要...
肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间...
肖特基二极管参数主要参考三个,分别为:导通压降,反向饱和漏电流,额定电流 一、导通压降VF:VF为二极管正向导通时二极管两端的压降,当通过二极管的电流越大,V...
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着...
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